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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability SCIE

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  国际简称：IEEE T DEVICE MAT RE

  • 工程技术 大类学科
  • ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 小类学科
  • 3区 中科院分区
  • Q2 JCR分区

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability（IEEE Transactions on Device and Materials Reliability杂志）是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社主办的一本以工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC为研究方向，OA非开放（Not Open Access）的国际优秀期刊。旨在帮助发展和壮大工程技术及相关学科的各个方面。该期刊接受多种不同类型的文章。本刊出版语言为English，创刊于2001年。自创刊以来，已被SCIE（科学引文索引扩展板）等国内外知名检索系统收录。该杂志发表了高质量的论文，重点介绍了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC在分析和实践中的理论、研究和应用。

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杂志介绍 数据图表 CiteScore WOS（JCR） 中科院SCI 投稿提示 发文分析

杂志介绍

  • ISSN：1530-4388

    E-ISSN：1558-2574

    出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

  • 出版语言：English

    出版地区：UNITED STATES

    出版周期：Quarterly

  • 是否OA：未开放

    是否预警：否

    创刊时间：2001

  • 年发文量：72

    影响因子：2.5

    研究类文章占比：97.22%

    Gold OA文章占比：24.52%

    H-index：63

    出版国人文章占比：0.14

    出版撤稿文章占比：

    开源占比：0.05...

    文章自引率：0.05

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》是一份国际优秀期刊，为工程技术领域的研究人员和从业者提供科学论坛。该期刊涵盖了工程技术及相关学科的所有方面，包括基础和应用研究，使读者能够获得来自世界各地的最新、前沿的研究。该期刊欢迎涉及工程技术领域的原创理论、方法、技术和重要应用的稿件，并刊载了涉及工程技术领域的相关栏目：综述、论著、述评、论著摘要等。所有投稿都有望达到高标准的科学严谨性，并为推进该领域的科研知识传播做出贡献。该期刊最新CiteScore值为4.8，最新影响因子为2.5，SJR指数为0.436，SNIP指数为1.148。

以下是我们为您搜索的同领域相关期刊以便您了解更多期刊信息：

期刊Ieee Transactions On Device And Materials Reliability近年评价数据趋势图

中科院SCI期刊分区大类分区趋势图
期刊自引率趋势图
期刊CiteScore趋势图
期刊影响因子趋势图
期刊年发文量趋势图

期刊CiteScore指数统计（2024年最新版）

CiteScore指标的应用非常广泛，以期刊的引用次数为基础评估期刊的影响力。它可以反映期刊的学术影响力和学术水平，是学术界常用的期刊评价指标之一。

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
4.8 0.436 1.148
学科类别 分区 排名 百分位
大类：Engineering 小类：Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207

68%
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797

65%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284

63%

CiteScore是由Elsevier公司开发的一种用于衡量科学期刊影响力的指标，以期刊的引用次数为基础评估期刊的影响力。这个指标是由Scopus数据库支持，以四年为一个时段，连续评估期刊和丛书的引文影响力的。具体来说，CiteScore是计算某期刊连续三年发表的论文在第四年度的篇均引用次数。CiteScore和影响因子（IF）有所不同。例如，在影响因子的计算中，分子是来自所有文章的引用次数，包括编辑述评、读者来信、更正信息和新闻等非研究性文章，而分母则不包括这些非研究性文章。然而，在CiteScore的计算中，分子和分母都包括这些非研究性文章。因此，如果这些非研究性文章比较多，由于分母较大，相较于影响因子，CiteScore计算出来的分数可能会偏低。此外，CiteScore的引用数据来自Scopus数据库中的22000多个期刊，比影响因子来自Web of Science数据库的11000多个期刊多了一倍。

期刊WOS(JCR)分区（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

53.3%
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

51.7%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

47.6%
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

44.97%

WOS(JCR)分区是由科睿唯安公司提出的一种新的期刊评价指标，分区越靠前一般代表期刊质量越好，发文难度也越高。这种分级体系有助于科研人员快速了解各个期刊的影响力和地位。JCR将所有期刊按照各个学科领域进行分类，然后以影响因子为标准平均分为四个等级：Q1、Q2、Q3和Q4区。这种设计使得科研人员可以更容易地进行跨学科比较。

中科院SCI期刊分区

中科院SCI期刊分区是由中国科学院国家科学图书馆制定的。将所有的期刊按照学科进行分类，以影响因子为标准平均分为四个等级。分区越靠前一般代表期刊质量越好，发文难度也越高。

2023年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
否 否 工程技术 3区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用
3区 3区

2022年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
否 否 工程技术 3区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用
3区 3区

2021年12月旧的升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
否 否 工程技术 3区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用
3区 3区

2021年12月基础版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
否 否 工程技术 4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用
4区 4区

2021年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
否 否 工程技术 3区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用
3区 3区

2020年12月旧的升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
否 否 工程技术 3区
PHYSICS, APPLIED 物理：应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气
3区 4区

投稿提示

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability(中文译名IEEE Transactions on Device and Materials Reliability杂志)是一本专注于工程技术,工程：电子与电气领域的国际期刊，致力于为全球ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的研究者提供一个高质量的学术交流平台。该期刊ISSN：1530-4388，E-ISSN：1558-2574，出版周期Quarterly。在中科院的大类学科分类中，该期刊属于工程技术范畴，而在小类学科中，它主要涵盖了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC这一领域。编辑部诚挚邀请广大工程技术领域的专家学者投稿，内容可以涵盖工程技术的综合研究、实践应用、创新成果等方面。同时，我们也欢迎学者们就相关主题进行简短的交流和评论，以促进学术界的互动与合作。为了保证期刊的质量，审稿周期预计为 较慢,6-12周 。在此期间，编辑部将对所有投稿进行严格的同行评审，以确保发表的文章具有较高的学术价值和实用性。

值得一提的是，Ieee Transactions On Device And Materials Reliability近期并未被列入国际期刊预警名单，这意味着其学术质量和影响力得到了广泛认可。该期刊为工程技术领域的学者提供了一个优质的学术交流平台。因此，关注并投稿至Ieee Transactions On Device And Materials Reliability无疑是一个明智的选择，这将有助于提升您的学术声誉和研究成果的传播。

多年来，我们专注于期刊投稿服务，能够为您分析推荐目标期刊。凭借多年来丰富的投稿经验和专业指导，我们有效助力提升录用几率。点击以下按钮即可免费咨询。

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期刊发文分析

机构发文量统计
机构 发文量
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT... 23
IMEC 15
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQ... 14
STMICROELECTRONICS 10
TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN 9
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY 8
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 8
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES 7
GLOBALFOUNDRIES 7
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 6
国家 / 地区发文量统计
国家 / 地区 发文量
USA 52
CHINA MAINLAND 51
India 50
Taiwan 35
France 20
Italy 18
Belgium 15
Austria 14
Japan 13
GERMANY (FED REP GER) 12
期刊引用数据次数统计
期刊引用数据 引用次数
IEEE T ELECTRON DEV 167
IEEE T NUCL SCI 116
MICROELECTRON RELIAB 100
IEEE T DEVICE MAT RE 93
IEEE ELECTR DEVICE L 69
APPL PHYS LETT 59
J APPL PHYS 44
IEEE T COMP PACK MAN 24
IEEE J SOLID-ST CIRC 23
IEEE T POWER ELECTR 23
期刊被引用数据次数统计
期刊被引用数据 引用次数
IEEE T ELECTRON DEV 127
IEEE T DEVICE MAT RE 93
MICROELECTRON RELIAB 88
IEEE ACCESS 47
IEEE T NUCL SCI 37
IEEE ELECTR DEVICE L 36
IEICE ELECTRON EXPR 35
IEEE T POWER ELECTR 31
J MATER SCI-MATER EL 31
ELECTRONICS-SWITZ 30
文章引用数据次数统计
文章引用数据 引用次数
A First-Principles Study of the SF6 Decomp... 23
Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its I... 9
Comparative Thermal and Structural Charact... 9
Output-Power Enhancement for Hot Spotted P... 8
Rapid Solder Interconnect Fatigue Life Tes... 7
Study of Long Term Drift of Aluminum Oxide... 7
Impacts of Process and Temperature Variati... 6
Comparative Study of Reliability of Ferroe... 6
A Compact and Self-Isolated Dual-Direction... 6
A Review on Hot-Carrier-Induced Degradatio... 6

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