Microelectronics Reliability（微电子可靠性杂志）是由Elsevier Ltd出版社主办的一本以工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC为研究方向，OA非开放（Not Open Access）的国际优秀期刊。旨在帮助发展和壮大工程技术及相关学科的各个方面。该期刊接受多种不同类型的文章。本刊出版语言为English，创刊于1964年。自创刊以来，已被SCIE（科学引文索引扩展板）等国内外知名检索系统收录。该杂志发表了高质量的论文，重点介绍了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC在分析和实践中的理论、研究和应用。
ISSN：0026-2714
E-ISSN：1872-941X
出版商：Elsevier Ltd
出版语言：English
出版地区：ENGLAND
出版周期：Monthly
是否OA：未开放
是否预警：否
创刊时间：1964
年发文量：310
影响因子：1.6
研究类文章占比：98.39%
Gold OA文章占比：14.36%
H-index：80
出版国人文章占比：
出版撤稿文章占比：0.00...
开源占比：0.06...
文章自引率：0.125
《Microelectronics Reliability》是一份国际优秀期刊，为工程技术领域的研究人员和从业者提供科学论坛。该期刊涵盖了工程技术及相关学科的所有方面，包括基础和应用研究，使读者能够获得来自世界各地的最新、前沿的研究。该期刊欢迎涉及工程技术领域的原创理论、方法、技术和重要应用的稿件，并刊载了涉及工程技术领域的相关栏目：综述、论著、述评、论著摘要等。所有投稿都有望达到高标准的科学严谨性，并为推进该领域的科研知识传播做出贡献。该期刊最新CiteScore值为3.3，最新影响因子为1.6，SJR指数为0.394，SNIP指数为0.801。
CiteScore指标的应用非常广泛，以期刊的引用次数为基础评估期刊的影响力。它可以反映期刊的学术影响力和学术水平，是学术界常用的期刊评价指标之一。
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 排名 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 3.3 | 0.394 | 0.801 |
|
CiteScore是由Elsevier公司开发的一种用于衡量科学期刊影响力的指标，以期刊的引用次数为基础评估期刊的影响力。这个指标是由Scopus数据库支持，以四年为一个时段，连续评估期刊和丛书的引文影响力的。具体来说，CiteScore是计算某期刊连续三年发表的论文在第四年度的篇均引用次数。CiteScore和影响因子（IF）有所不同。例如，在影响因子的计算中，分子是来自所有文章的引用次数，包括编辑述评、读者来信、更正信息和新闻等非研究性文章，而分母则不包括这些非研究性文章。然而，在CiteScore的计算中，分子和分母都包括这些非研究性文章。因此，如果这些非研究性文章比较多，由于分母较大，相较于影响因子，CiteScore计算出来的分数可能会偏低。此外，CiteScore的引用数据来自Scopus数据库中的22000多个期刊，比影响因子来自Web of Science数据库的11000多个期刊多了一倍。
| 按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 239 / 352 |
32.2% |
| 学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 113 / 140 |
19.6% |
| 学科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 131 / 179 |
27.1% |
| 按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 272 / 354 |
23.31% |
| 学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 114 / 140 |
18.93% |
| 学科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 140 / 179 |
22.07% |
WOS(JCR)分区是由科睿唯安公司提出的一种新的期刊评价指标，分区越靠前一般代表期刊质量越好，发文难度也越高。这种分级体系有助于科研人员快速了解各个期刊的影响力和地位。JCR将所有期刊按照各个学科领域进行分类，然后以影响因子为标准平均分为四个等级：Q1、Q2、Q3和Q4区。这种设计使得科研人员可以更容易地进行跨学科比较。
中科院SCI期刊分区是由中国科学院国家科学图书馆制定的。将所有的期刊按照学科进行分类，以影响因子为标准平均分为四个等级。分区越靠前一般代表期刊质量越好，发文难度也越高。
2023年12月升级版
| Top期刊 | 综述期刊 | 大类学科 | 小类学科 |
| 否 | 否 | 工程技术 4区 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：电子与电气
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
纳米科技
PHYSICS, APPLIED
物理：应用
4区
4区
4区
|
2022年12月升级版
| Top期刊 | 综述期刊 | 大类学科 | 小类学科 |
| 否 | 否 | 工程技术 4区 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：电子与电气
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
纳米科技
PHYSICS, APPLIED
物理：应用
4区
4区
4区
|
2021年12月旧的升级版
| Top期刊 | 综述期刊 | 大类学科 | 小类学科 |
| 否 | 否 | 工程技术 4区 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：电子与电气
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
纳米科技
PHYSICS, APPLIED
物理：应用
4区
4区
4区
|
2021年12月基础版
| Top期刊 | 综述期刊 | 大类学科 | 小类学科 |
| 否 | 否 | 工程技术 4区 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：电子与电气
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
纳米科技
PHYSICS, APPLIED
物理：应用
4区
4区
4区
|
2021年12月升级版
| Top期刊 | 综述期刊 | 大类学科 | 小类学科 |
| 否 | 否 | 工程技术 4区 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：电子与电气
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
纳米科技
PHYSICS, APPLIED
物理：应用
4区
4区
4区
|
2020年12月旧的升级版
| Top期刊 | 综述期刊 | 大类学科 | 小类学科 |
| 否 | 否 | 工程技术 4区 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：电子与电气
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
纳米科技
PHYSICS, APPLIED
物理：应用
4区
4区
4区
|
Microelectronics Reliability(中文译名微电子可靠性杂志)是一本专注于工程技术,工程：电子与电气领域的国际期刊，致力于为全球ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的研究者提供一个高质量的学术交流平台。该期刊ISSN：0026-2714，E-ISSN：1872-941X，出版周期Monthly。在中科院的大类学科分类中，该期刊属于工程技术范畴，而在小类学科中，它主要涵盖了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC这一领域。编辑部诚挚邀请广大工程技术领域的专家学者投稿，内容可以涵盖工程技术的综合研究、实践应用、创新成果等方面。同时，我们也欢迎学者们就相关主题进行简短的交流和评论，以促进学术界的互动与合作。为了保证期刊的质量，审稿周期预计为 较快,2-4周 约8.3周。在此期间，编辑部将对所有投稿进行严格的同行评审，以确保发表的文章具有较高的学术价值和实用性。
值得一提的是，Microelectronics Reliability近期并未被列入国际期刊预警名单，这意味着其学术质量和影响力得到了广泛认可。该期刊为工程技术领域的学者提供了一个优质的学术交流平台。因此，关注并投稿至Microelectronics Reliability无疑是一个明智的选择，这将有助于提升您的学术声誉和研究成果的传播。
多年来，我们专注于期刊投稿服务，能够为您分析推荐目标期刊。凭借多年来丰富的投稿经验和专业指导，我们有效助力提升录用几率。点击以下按钮即可免费咨询。
投稿咨询| 期刊引用数据 | 引用次数 |
| MICROELECTRON RELIAB | 512 |
| IEEE T NUCL SCI | 360 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 270 |
| J APPL PHYS | 142 |
| APPL PHYS LETT | 135 |
| IEEE T POWER ELECTR | 120 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 101 |
| IEEE T COMP PACK MAN | 98 |
| J ELECTRON MATER | 93 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 88 |
| 期刊被引用数据 | 引用次数 |
| MICROELECTRON RELIAB | 512 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 235 |
| J MATER SCI-MATER EL | 205 |
| IEEE ACCESS | 197 |
| IEEE T COMP PACK MAN | 120 |
| IEEE T POWER ELECTR | 120 |
| J ELECTRON MATER | 103 |
| J ALLOY COMPD | 101 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 100 |
| ENERGIES | 87 |
| 文章引用数据 | 引用次数 |
| Comphy - A compact-physics framework for u... | 25 |
| An improved unscented particle filter appr... | 25 |
| Threshold voltage peculiarities and bias t... | 21 |
| Identification of oxide defects in semicon... | 16 |
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| A review of NBTI mechanisms and models | 12 |
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