Semiconductor Science And Technology(半导体科技杂志)是由IOP Publishing Ltd.出版社主办的一本以工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC为研究方向,OA非开放(Not Open Access)的国际优秀期刊。旨在帮助发展和壮大工程技术及相关学科的各个方面。该期刊接受多种不同类型的文章。本刊出版语言为English,创刊于1986年。自创刊以来,已被SCIE(科学引文索引扩展板)等国内外知名检索系统收录。该杂志发表了高质量的论文,重点介绍了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC在分析和实践中的理论、研究和应用。
ISSN:0268-1242
E-ISSN:1361-6641
出版商:IOP Publishing Ltd.
出版语言:English
出版地区:ENGLAND
出版周期:Monthly
是否OA:未开放
是否预警:否
创刊时间:1986
年发文量:193
影响因子:1.9
研究类文章占比:95.85%
Gold OA文章占比:10.23%
H-index:99
出版国人文章占比:0.19
出版撤稿文章占比:
开源占比:0.07...
文章自引率:0.0526...
《Semiconductor Science And Technology》是一份国际优秀期刊,为工程技术领域的研究人员和从业者提供科学论坛。该期刊涵盖了工程技术及相关学科的所有方面,包括基础和应用研究,使读者能够获得来自世界各地的最新、前沿的研究。该期刊欢迎涉及工程技术领域的原创理论、方法、技术和重要应用的稿件,并刊载了涉及工程技术领域的相关栏目:综述、论著、述评、论著摘要等。所有投稿都有望达到高标准的科学严谨性,并为推进该领域的科研知识传播做出贡献。该期刊最新CiteScore值为4.3,最新影响因子为1.9,SJR指数为0.411,SNIP指数为0.741。
CiteScore指标的应用非常广泛,以期刊的引用次数为基础评估期刊的影响力。它可以反映期刊的学术影响力和学术水平,是学术界常用的期刊评价指标之一。
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 排名 | ||||||||||||||||||||
4.3 | 0.411 | 0.741 |
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CiteScore是由Elsevier公司开发的一种用于衡量科学期刊影响力的指标,以期刊的引用次数为基础评估期刊的影响力。这个指标是由Scopus数据库支持,以四年为一个时段,连续评估期刊和丛书的引文影响力的。具体来说,CiteScore是计算某期刊连续三年发表的论文在第四年度的篇均引用次数。CiteScore和影响因子(IF)有所不同。例如,在影响因子的计算中,分子是来自所有文章的引用次数,包括编辑述评、读者来信、更正信息和新闻等非研究性文章,而分母则不包括这些非研究性文章。然而,在CiteScore的计算中,分子和分母都包括这些非研究性文章。因此,如果这些非研究性文章比较多,由于分母较大,相较于影响因子,CiteScore计算出来的分数可能会偏低。此外,CiteScore的引用数据来自Scopus数据库中的22000多个期刊,比影响因子来自Web of Science数据库的11000多个期刊多了一倍。
按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2% |
学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 301 / 438 |
31.4% |
学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 50 / 79 |
37.3% |
按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 238 / 354 |
32.91% |
学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 293 / 438 |
33.22% |
学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 51 / 79 |
36.08% |
WOS(JCR)分区是由科睿唯安公司提出的一种新的期刊评价指标,分区越靠前一般代表期刊质量越好,发文难度也越高。这种分级体系有助于科研人员快速了解各个期刊的影响力和地位。JCR将所有期刊按照各个学科领域进行分类,然后以影响因子为标准平均分为四个等级:Q1、Q2、Q3和Q4区。这种设计使得科研人员可以更容易地进行跨学科比较。
中科院SCI期刊分区是由中国科学院国家科学图书馆制定的。将所有的期刊按照学科进行分类,以影响因子为标准平均分为四个等级。分区越靠前一般代表期刊质量越好,发文难度也越高。
2023年12月升级版
Top期刊 | 综述期刊 | 大类学科 | 小类学科 |
否 | 否 | 工程技术 4区 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程:电子与电气
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科学:综合
PHYSICS, CONDENSED MATTER
物理:凝聚态物理
4区
4区
4区
|
2022年12月升级版
Top期刊 | 综述期刊 | 大类学科 | 小类学科 |
否 | 否 | 工程技术 4区 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程:电子与电气
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科学:综合
PHYSICS, CONDENSED MATTER
物理:凝聚态物理
4区
4区
4区
|
2021年12月旧的升级版
Top期刊 | 综述期刊 | 大类学科 | 小类学科 |
否 | 否 | 工程技术 4区 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程:电子与电气
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科学:综合
PHYSICS, CONDENSED MATTER
物理:凝聚态物理
4区
4区
4区
|
2021年12月基础版
Top期刊 | 综述期刊 | 大类学科 | 小类学科 |
否 | 否 | 工程技术 3区 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程:电子与电气
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科学:综合
PHYSICS, CONDENSED MATTER
物理:凝聚态物理
4区
4区
4区
|
2021年12月升级版
Top期刊 | 综述期刊 | 大类学科 | 小类学科 |
否 | 否 | 工程技术 4区 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程:电子与电气
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科学:综合
PHYSICS, CONDENSED MATTER
物理:凝聚态物理
4区
4区
4区
|
2020年12月旧的升级版
Top期刊 | 综述期刊 | 大类学科 | 小类学科 |
否 | 否 | 工程技术 3区 |
PHYSICS, CONDENSED MATTER
物理:凝聚态物理
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程:电子与电气
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科学:综合
3区
4区
4区
|
Semiconductor Science And Technology(中文译名半导体科技杂志)是一本专注于工程技术,材料科学:综合领域的国际期刊,致力于为全球ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的研究者提供一个高质量的学术交流平台。该期刊ISSN:0268-1242,E-ISSN:1361-6641,出版周期Monthly。在中科院的大类学科分类中,该期刊属于工程技术范畴,而在小类学科中,它主要涵盖了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC这一领域。编辑部诚挚邀请广大工程技术领域的专家学者投稿,内容可以涵盖工程技术的综合研究、实践应用、创新成果等方面。同时,我们也欢迎学者们就相关主题进行简短的交流和评论,以促进学术界的互动与合作。为了保证期刊的质量,审稿周期预计为 一般,3-6周 。在此期间,编辑部将对所有投稿进行严格的同行评审,以确保发表的文章具有较高的学术价值和实用性。
值得一提的是,Semiconductor Science And Technology近期并未被列入国际期刊预警名单,这意味着其学术质量和影响力得到了广泛认可。该期刊为工程技术领域的学者提供了一个优质的学术交流平台。因此,关注并投稿至Semiconductor Science And Technology无疑是一个明智的选择,这将有助于提升您的学术声誉和研究成果的传播。
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投稿咨询国家 / 地区 | 发文量 |
CHINA MAINLAND | 257 |
USA | 139 |
India | 121 |
GERMANY (FED REP GER) | 95 |
South Korea | 90 |
England | 64 |
Japan | 64 |
France | 55 |
Russia | 52 |
Taiwan | 31 |
期刊引用数据 | 引用次数 |
APPL PHYS LETT | 1311 |
J APPL PHYS | 761 |
PHYS REV B | 700 |
IEEE T ELECTRON DEV | 412 |
PHYS REV LETT | 332 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 277 |
SEMICOND SCI TECH | 276 |
NANO LETT | 236 |
THIN SOLID FILMS | 162 |
J CRYST GROWTH | 150 |
期刊被引用数据 | 引用次数 |
J APPL PHYS | 337 |
SEMICOND SCI TECH | 276 |
PHYS REV B | 205 |
MATER RES EXPRESS | 191 |
APPL PHYS LETT | 185 |
JPN J APPL PHYS | 169 |
IEEE T ELECTRON DEV | 145 |
SCI REP-UK | 134 |
APPL SURF SCI | 118 |
J MATER SCI-MATER EL | 118 |
文章引用数据 | 引用次数 |
beta-Ga2O3 for wide-bandgap electronics an... | 59 |
Phase-change materials for non-volatile me... | 53 |
Metal oxide nanostructures for sensor appl... | 29 |
How to control defect formation in monolit... | 28 |
Terahertz radiation detectors: the state-o... | 21 |
Structural, electronic and phononic proper... | 19 |
Wide-bandgap, low-bandgap, and tandem pero... | 18 |
Biaxial strain tuned electronic structures... | 17 |
A comprehensive device modelling of perovs... | 15 |
The transport and optical sensing properti... | 15 |
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